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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1186/193  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding F (Ding Fei);  Chen YH;  Tang CG;  Xu B (Xu Bo);  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Inst Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@semi.ac.cn
Adobe PDF(285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1020/275  |  提交时间：2010/03/29