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| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美 ; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国
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| 变温霍尔实验仪 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1988-03-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 于耀川; 徐寿定; 范东华; 胡长有; 周仁楷; 李瑞云; 李平江
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| 一种铁电晶体材料的极化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102122105A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 范学东; 马传龙; 王海玲; 王宇飞; 马绍栋; 郑婉华
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| 一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102321920A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 郑婉华; 马传龙; 范学东; 渠红伟; 彭红玲; 王海玲; 马绍栋
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| 一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102436114A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 郑婉华; 范学东; 马传龙; 马绍栋; 齐爱谊
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| 一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102520561A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 郑婉华; 马传龙; 范学东; 马绍栋; 齐爱谊
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| ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
发明人: 徐晓娜; 胡传贤; 樊中朝; 王晓东; 杨富华
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| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种复合膜片压力传感器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224110.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王晓东; 樊中朝; 季安; 邢波; 杨富华
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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