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InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析 期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 878-882
Authors:  胡炜杰;  赵有文;  段满龙;  王应利;  王俊
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闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  赵有文;  董志远;  段满龙;  魏学成
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InP单晶锭退火处理方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  赵友文;  段满龙
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化学气相传输法生长ZnO单晶 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 336-339
Authors:  赵有文;  董志远;  魏学成;  段满龙;  李晋闽
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半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 524-529
Authors:  赵有文;  董志远;  李成基;  段满龙;  孙文荣
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化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究 期刊论文
人工晶体学报, 2006, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 404-408
Authors:  赵有文;  董志远;  魏学成;  段满龙;  李晋闽
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高质量InAs单晶材料的制备及其性质 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1391-1395
Authors:  赵有文;  孙文荣;  段满龙;  董志远;  杨子祥;  吕旭如;  王应利
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磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: 2127-2133
Authors:  赵有文;  董志远;  孙文荣;  段满龙;  杨子祥;  吕旭如
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升华法生长AlN体单晶初探 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: 1241-1245
Authors:  赵有文;  董志远;  魏学成;  段满龙;  李晋闽
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高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷 期刊论文
中国科学. E辑, 技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 5
Authors:  董志远;  赵有文;  曾一平;  段满龙;  李晋闽
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