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探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谭平恒;  徐仲英;  罗向东;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  包志华;  景为平;  罗向东;  谭平恒
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗向东;  徐仲英;  谭平恒;  GE Wei-Kun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  安龙;  唐艳;  章继东;  姬扬;  谭平恒;  杨富华;  郑厚植
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