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| 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明 ; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉
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| 一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 卢国军; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 杨辉
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| 一种紫外红外双色探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183403.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 刘宗顺; 赵德刚; 朱建军; 张书明; 王辉; 江德生; 杨辉
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| 氮化镓基紫外-红外双色探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010034282.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 邓懿; 赵德刚
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| 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 杨辉
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| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| 测量肖特基势垒高度的装置和方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-17
发明人: 刘宗顺; 赵德刚; 陈平; 江德生
Adobe PDF(880Kb) | 收藏 | 浏览/下载：828/68 | 提交时间：2014/10/29 |
| InGaN太阳能电池及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人: 李亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 吴亮亮; 乐伶聪; 杨辉
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| 一种测量直接带隙半导体材料禁带宽度的装置和方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-20
发明人: 刘宗顺; 赵德刚; 陈平; 江德生
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