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Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials 会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:  Wang X;  Chen M;  Chen J;  Dong YN;  Liu XH;  He P;  Tian LL;  Liu ZL;  Chen J Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol Ion Beam Lab 865 Changning Rd Shanghai 200050 Peoples R China.
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Soi  Nanostructure  Microelectronic Materials  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang RY;  Dong J;  Feng ZW;  Zhou F;  Tian HL;  Shu HY;  Zhao LJ;  Bian J;  Wang W;  Zhang RY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang X;  Chen M;  Chen J;  Dong YN;  Liu XH;  He P;  Tian LL;  Liu ZL;  Chen J,Chinese Acad Sci,Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol,Ion Beam Lab,865 Changning Rd,Shanghai 200050,Peoples R China.
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A novel polarization-insensitive semiconductor optical amplifier structure with large 3dB bandwidth 会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS:OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:  Zhang RY;  Dong J;  Zhou F;  Zhu HL;  Shu HY;  Bian J;  Wang LF;  Tian HL;  Wang W;  Zhang RY Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Spot-size Converter  Gain  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  史伟;  房昌水;  徐志凌;  潘奇伟;  赵显;  顾庆天;  许东;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  史伟;  房昌水;  潘奇伟;  孟凡青;  顾庆天;  许东;  陈钢进;  余金中
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