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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou WZ (Zhou W. Z.);  Lin T (Lin T.);  Shang LY (Shang L. Y.);  Yu G (Yu G.);  Gao KH (Gao K. H.);  Zhou YM (Zhou Y. M.);  Wei LM (Wei L. M.);  Cui LJ (Cui L. J.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Guo SL (Guo S. L.);  Chu JH (Chu J. H.);  Zhou, WZ, E China Normal Univ, Minist Educ, Key Lab Polar Mat & Devices, Shanghai 200062, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouwz@mail.sitp.ac.cn;  jhchu@mail.sitp.ac.cn
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Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  杨翠柏;  李晋闽
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p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张小宾;  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  冉军学;  王翠梅;  李晋闽
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在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  魏萌;  王晓亮;  潘旭;  李建平;  刘宏新;  王翠梅;  肖红领
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制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓亮;  张明兰;  肖红领;  王翠梅;  唐健;  冯春;  姜丽娟
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氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  王晓亮;  毕杨;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(570Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2054/447  |  提交时间：2012/08/29