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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei LM;  Gao KH;  Liu XZ;  Zhou WZ;  Cui LJ;  Zeng YP;  Yu G;  Yang R;  Lin T;  Shang LY;  Guo SL;  Dai N;  Chu JH;  Austing DG;  Yu, G (reprint author), Shanghai Inst Tech Phys, Chinese Acad Sci, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China, yug@mai.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou WZ (Zhou W. Z.);  Lin T (Lin T.);  Shang LY (Shang L. Y.);  Yu G (Yu G.);  Gao KH (Gao K. H.);  Zhou YM (Zhou Y. M.);  Wei LM (Wei L. M.);  Cui LJ (Cui L. J.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Guo SL (Guo S. L.);  Chu JH (Chu J. H.);  Zhou, WZ, E China Normal Univ, Minist Educ, Key Lab Polar Mat & Devices, Shanghai 200062, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouwz@mail.sitp.ac.cn;  jhchu@mail.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周文政;  代娴;  林铁;  商丽燕;  崔利杰;  曾一平;  褚君浩
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制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓亮;  张明兰;  肖红领;  王翠梅;  唐健;  冯春;  姜丽娟
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氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  王晓亮;  毕杨;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(570Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2048/447  |  提交时间：2012/08/29