中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu, JL;  Chen, YH;  Lai, YF;  Cheng, SY
Adobe PDF(358Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：469/165  |  提交时间：2015/05/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu, JL;  Lai, YF;  Wang, YZ;  Cheng, SY;  Chen, YH
Adobe PDF(2233Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：366/44  |  提交时间：2015/03/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu, JL;  Cheng, SY;  Lai, YF;  Zheng, Q;  Chen, YH
Adobe PDF(578Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：574/120  |  提交时间：2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, J;  Yu, JL;  Cheng, SY;  Lai, YF;  Chen, YH
Adobe PDF(252Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：437/124  |  提交时间：2015/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu CY (Gu Cheng-Yan);  Liu GP (Liu Gui-Peng);  Shi K (Shi Kai);  Song YF (Song Ya-Feng);  Li CM (Li Cheng-Ming);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
Adobe PDF(136Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：911/218  |  提交时间：2013/03/26
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  刘贵鹏;  刘长波;  谷承艳;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：842/85  |  提交时间：2014/10/29
大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  李辉杰;  杨少延;  魏鸿源;  赵桂娟;  汪连山;  李成明;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(710Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：555/2  |  提交时间：2016/09/29
AlN单晶衬底生产设备及其使用方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  李辉杰;  杨少延;  魏鸿源;  赵桂娟;  汪连山;  李成明;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(600Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：502/5  |  提交时间：2016/09/22