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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Likai Li;  Fangyuan Yang;  Guo Jun Ye;  Zuocheng Zhang;  Zengwei Zhu;  Wenkai Lou;  Xiaoying Zhou;  Liang Li;  Kenji Watanabe;  Takashi Taniguchi;  Kai Chang;  YayuWang;  Xian Hui Chen* and Yuanbo Zhang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Yun, Wang Yong-Bin, Zhang Yu,Song Guo-Feng and Chen Liang-Hui
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Yang T (Yang Tao);  Xu PF (Xu Peng-Fei);  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Gu YX (Gu Yong-Xian);  Wang XD (Wang Xiao-Dong);  Wang Q (Wang Qing);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tyang@semi.ac.cn
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利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  施辉伟;  陈诺夫;  黄添懋;  尹志岗;  吴金良;  张汉
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