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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [9]
作者
江德生 [1]
张加勇 [1]
文献类型
会议论文 [9]
发表日期
2008 [1]
2001 [2]
2000 [1]
1999 [2]
1998 [3]
语种
英语 [9]
出处
DISPLAY DE... [2]
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期刊影响因子降序
The effects of sapphire substrates processes to the LED efficiency - art. no. 68410M
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Yang, H
;
Chen, Y
;
Wang, LB
;
Yi, XY
;
Fan, JM
;
Liu, ZQ
;
Yang, FH
;
Wang, LC
;
Wang, GH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Yang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gan-based Led
Grinding
Ray Tracing
Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of GaN layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 188 (2), DENVER, COLORADO, JUL 16-20, 2001
作者:
Sun XL
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Chen Y
;
Li GH
;
Wang ZG
;
Sun XL Ohio State Univ Dept Elect Engn Columbus OH 43210 USA.
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浏览/下载:1205/285
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提交时间:2010/11/15
Gallium Nitride
Luminescence
Bulk
Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 223 (1), SAPPORO, JAPAN, SEP 24-28, 2000
作者:
Li GH
;
Chen Y
;
Fung ZL
;
Ding K
;
Han HX
;
Zhou W
;
Wang ZG
;
Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1198/322
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提交时间:2010/11/15
Hydrostatic-pressure
Photoluminescence
Gaas
Luminescence
Growth
Insb
Gasb
Native oxided AlAs current blocking layer for AIGaInP high brightness light emitting diodes
会议论文
LIGHT-EMITTING DIODES: RESEARCH, MANUFACTURING, AND APPLICATIONS IV, 3938, SAN JOSE, CA, JAN 26-27, 2000
作者:
Wang GH
;
Ma XY
;
Zhang YF
;
Wang ST
;
Li YZ
;
Chen LH
;
Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Native Oxided Alas
Current Blocking Layer
Algainp
High Brightness Light Emitting Diodes
650nm AlGaInP quantum well lasers for the application of DVD
会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:
Chen LH
;
Ma XY
;
Guo L
;
Ma J
;
Ding HY
;
Cao Q
;
Wang LM
;
Zhang GZ
;
Yang YL
;
Wang GH
;
Tan MQ
;
Chen LH Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Dvd
Laser Diode
Visible
Algainp
Mocvd
Operation
Diodes
Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Yu GH
;
Fan XW
;
Guan ZP
;
Zhang JY
;
Zhao XW
;
Shen DZ
;
Zheng ZH
;
Yang BJ
;
Jiang DS
;
Chen YB
;
Zhu ZM
;
Yu GH Chinese Acad Sci Lab Excited State Proc Changchun 130021 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Double Multi-quantum Wells
Photocurrent Spectra
Zncdse-znse
Spectroscopy
Photoluminescence
Heterostructures
Photodetectors
High brightness AlGaInP orange light emitting diodes
会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:
Li YZ
;
Wang GH
;
Ma XY
;
Peng HI
;
Wang ST
;
Chen LH
;
Li YZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
High Brightness
Led
Mocvd
Algainp
Coupled AlxGa1-xAs-AlAs distributed Bragg reflectors for high brightness AlGaInP light emitting diodes
会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:
Wang GH
;
Ma XY
;
Zhang YF
;
Peng HI
;
Wang ST
;
Li YZ
;
Chen LH
;
Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Led
Coupled Distributed Bragg Reflector
Mocvd
Algainp
High temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by LP-MOCVD
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Lian P
;
Wang LM
;
Zhang XY
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Wang GH
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Algainp
Quantum Well
Laser Diode
Mocvd