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一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu YX (Wu Yu-Xin);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Wang YT (Wang Yu-Tian);  Wang H (Wang Hui);  Chen GF (Chen Gui-Feng);  Yang H (Yang Hui);  Zhu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jjzhu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Z;  Zhang R;  Xie ZL;  Liu B;  Xiu XQ;  Li Y;  Fu DY;  Lu H;  Chen P;  Han P;  Zheng YD;  Tang CG;  Chen YH;  Wang ZG;  Wang H;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Zhang Z Nanjing Univ Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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一种量子阱边发射半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐云;  陈良惠;  李玉璋;  曹青;  宋国峰;  郭良
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红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐云;  陈良惠;  张玉芳;  宋国峰;  李玉璋;  种明;  郑婉华;  曹青
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang LQ;  Zhang SM;  Yang H;  Cao Q;  Ji L;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhao DG;  Jiang DS;  Duan LH;  Wang H;  Shi YS;  Liu SY;  Chen LH;  Liang JW;  Zhang, LQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu WB (Liu Wenbao);  Sun X (Sun Xian);  Zhang S (Zhang Shuang);  Chen J (Chen Jun);  Wang H (Wang Hui);  Wang XL (Wang Xiaolan);  Zhao DG (Zhao Degang);  Yang H (Yang Hui);  Liu, WB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wbliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李德尧;  张书明;  王建峰;  陈俊;  陈良惠;  种明;  朱建军;  赵德刚;  刘宗顺;  杨辉;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DY (Li Deyao);  Zhang SM (Zhang Shuming);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Chen J (Chen Jun);  Chen LH (Chen Lianghui);  Chong M (Chong Ming);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Zhao DG (Zhao Degang);  Liu ZS (Liu Zongshun);  Yang H (Yang Hui);  Liang JW (Liang Junwu);  Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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