中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR
（本次检索基于用户作品认领结果）

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  范海波;  李成明;  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(1055Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1206/178  |  提交时间：2009/06/11
一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  范海波;  李成明;  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(843Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1181/186  |  提交时间：2009/06/11
具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
Adobe PDF(924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1178/171  |  提交时间：2009/06/11
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
Adobe PDF(931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1236/176  |  提交时间：2009/06/11
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1176/193  |  提交时间：2009/06/11
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1042/158  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P;  Li CM;  Zhang ZY;  Liu FQ;  Chen YH;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Jin, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(105Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1507/532  |  提交时间：2010/03/09