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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘超;  高兴国;  李建平;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高兴国;  刘超;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘超;  高兴国;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  左玉华;  毛容伟;  黄昌俊;  蔡晓;  李传波;  成步文;  罗丽萍;  高俊华;  白云霞;  姜磊;  马朝华;  王良臣;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄大定;  刘超;  李建平;  高斐;  孙殿照;  朱世荣;  孔梅影
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  姚骏恩;  吴世法;  高崧;  郭宁;  商广义;  初世超;  贺节;  夏德宽;  李成基;  徐绍华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张权生;  吕卉;  杜云;  马朝花;  吴荣汉;  高洪海;  高文智;  芦秀玲
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王圩;  张静媛;  田慧良;  谬育博;  汪孝杰;  马朝华;  王丽明;  吕卉;  高俊华;  高洪海
Adobe PDF(1729Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：785/153  |  提交时间：2010/11/23