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| 低维金属硫族化合物的制备与光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 范超
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低维金属硫族化合物 水热法 Cvd法 Mose2 Mos2 Sns2 |
| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma XT (Ma Xiao-Tao); Zheng WH (Zheng Wan-Hua); Ren G (Ren Gang); Fan ZC (Fan Zhong-Chao); Chen CH (Chen Chang-Hui); Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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| 基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 樊中朝; 余金中; 陈少武; 王章涛; 陈媛媛; 李艳萍
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| 一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 樊中朝; 余金中; 陈少武; 杨笛
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| ICP刻蚀技术及其在SOI波导器件制作中的应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者: 樊中朝
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhao YR(赵艳蕊); Wang W(王圩) ; Wang XJ(汪孝杰); Zhu HL(朱洪亮); Zhou F(周帆); Ma CH(马朝华)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈博; 王圩; 张静媛; 汪孝杰; 周帆; 朱洪亮; 边静; 马朝华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈博; 王圩; 汪孝杰; 张静媛; 周帆; 马朝华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈博; 王圩; 汪孝杰; 张静媛; 朱洪亮; 周帆; 王玉田; 马朝华; 张子莹; 刘国利
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