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| 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟 ; 尹志岗; 吴金良; 王彦硕; 汪宇; 张汉
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| 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人: 康贺; 王晓亮; 肖红领; 王翠梅; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 崔磊
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| 栅压自举开关电路 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人: 马波; 袁凌; 曹晓东; 张强; 郝志坤; 石寅
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| 氧化物膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人: 王晓峰; 尹玉华; 李丽娟; 霍自强; 王军喜; 李晋闽; 曾一平
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| 一种高速快闪加交替比较式逐次逼近模数转换器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人: 边程浩; 陈铭义; 周立国; 石寅
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| 过采样64倍有效位数为18位的Σ-Δ调制电路 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人: 杜兴; 马波; 袁凌; 曹晓东; 石寅
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| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
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| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉
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| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
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| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉
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