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作者:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华;  曾一平
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高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕玲;  杨富华
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对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘雯;  李越强;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华
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一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136492A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07
发明人:  李越强;  王晓东;  徐晓娜;  刘雯;  陈燕玲;  杨富华
Adobe PDF(572Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1533/357  |  提交时间：2012/09/07