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| SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华
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| 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人: 颜伟; 杜彦东; 韩伟华; 杨富华
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| 一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-06
发明人: 李小明; 韩伟华; 张严波; 颜伟; 杜彦东; 陈燕坤; 杨富华
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| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华
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| 双色、微区反射式瞬态光谱测量系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 闫腾飞; 牛秉慧; 高海霞; 李杭; 闫炜; 历巧巧; 张新惠
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| 太赫兹波探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 白龙; 颜伟; 杨富华
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