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提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人:  石明吉;  曾湘波;  张长沙;  刘石勇;  彭文博;  肖海波
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan FR (Tan Furui);  Qu SC (Qu Shengchun);  Zeng XB (Zeng Xiangbo);  Zhang CS (Zhang Changsha);  Shi MJ (Shi Mingji);  Wang ZJ (Wang Zhijie);  Jin L (Jin Lan);  Bi Y (Bi Yu);  Cao J (Cao Jie);  Wang ZG (Wang, Zhanguo);  Hou YB (Hou Yanbing);  Teng F (Teng Feng);  Feng ZH (Feng, Zhihui);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  肖海波;  曾湘波;  刘石勇;  彭文博;  石明吉;  张长沙
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