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| III-V族磁性半导体量子点和纳米线的分子束外延制备及性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 王思亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Meng KK ; Wang SL; Xu PF; Chen L; Yan WS; Zhao JH; Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. jhzhao@red.semi.ac.cn
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| 带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
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| 在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 赵建华; 王思亮; 俞学哲; 王海龙
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| InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
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| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 蒋洞微; 向伟; 王娟; 邢军亮; 王国伟; 徐应强; 任正伟; 贺振宏; 牛智川
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| 一种半导体光电器件的表面钝化方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 郝宏玥; 王国伟; 向伟; 蒋洞微; 邢军亮; 徐应强; 牛智川
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