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对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  姜磊;  白云霞;  王莉
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氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
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氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
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在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
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制备微透镜阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人:  査国伟;  喻颖;  李密峰;  王莉娟;  倪海桥;  贺正宏;  牛智川
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GaN基发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  黄亚军;  王莉;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕
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自组织单量子点的定位方法及装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  尚向军;  倪海桥;  査国伟;  喻颖;  李密峰;  王莉娟;  徐建星;  牛智川
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一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人:  査国伟;  牛智川;  倪海桥;  李密锋;  喻颖;  王莉娟;  徐建星;  尚向军;  贺振宏
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在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人:  査国伟;  李密锋;  喻颖;  王莉娟;  徐建星;  尚向军;  倪海桥;  贺振宏;  牛智川
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硅基半导体超短脉冲激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-27
发明人:  丁颖;  倪海桥;  李密锋;  喻颖;  查国伟;  徐建新;  王莉娟;  牛智川
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