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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Jianlin;  Wang Liangchen;  Zeng Yiping;  Liu Zhongli;  Yang Fuhua;  Bai Yunxia
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王建林;  刘忠立;  王良臣;  曾一平;  杨富华;  白云霞
Adobe PDF(323Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：981/354  |  提交时间：2010/11/23