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降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  李翔;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  朱建军
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提高激光器量子阱载流子限制能力的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  李翔;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  朱建军
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同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  李翔;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  朱建军
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抑制GaAs基激光器高阶模的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  李翔;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  朱建军
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一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  李翔;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  朱建军
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一种提高氮化镓基激光器性能的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  李翔;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  朱建军
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一种激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  李翔;  赵德刚;  朱建军;  陈平;  刘宗顺;  江德生
Adobe PDF(304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:396/1  |  提交时间:2016/08/30