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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于丽娟,晏磊
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GaAs/InP 键合技术研究及其太阳电池应用 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  晏磊
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用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128380.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  晏磊;  于丽娟
Adobe PDF(379Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1081/146  |  提交时间：2011/08/30