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| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏
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| 在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 陈晨龙
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhu NH (Zhu Ning Hua); Zhang T (Zhang Tao); Zhang YL (Zhang Ya Li); Xu GZ (Xu Gui Zhi); Wen JM (Wen Ji Min); Huang HP (Huang Heng Pei); Liu Y (Liu Yu); Xie L (Xie Liang); Zhu, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 红外线探测材料GaAs 基InAsSb 薄膜的生长和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者: 彭长涛
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘超; 张雅丽; 徐桂芝; 张韬; 侯广辉; 祝宁华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张韬; 伞海生; 温继敏; 刘宇 ; 刘超; 陈伟; 谢亮; 祝宁华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 白一鸣; 陈诺夫; 戴瑞炬; 王鹏; 彭长涛
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 徐桂芝; Hofmann W; 黄亨沛; 张韬; 谢亮; 祝宁华; Amann M C
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