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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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GaAs 基1.3-1.55μm GaInNAs(Sb)量子阱及激光器、探测器的分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  张石勇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  苗振华;  徐应强;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  牛智川
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