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一种高质量InN薄膜的获取方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张日清;  康亭亭;  刘祥林
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一种高效率深紫外发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  康亭亭;  刘祥林
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一种近场光学增强型可见光探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  康亭亭;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang RQ (Zhang Riqing);  Zhang PF (Zhang Panfeng);  Kang TT (Kang Tingting);  Fan HB (Fan Haibo);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Wei HY (Wei Hongyuan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang, Zhanguo);  Zhang, RQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangriq@semi.ac.cn;  xlliu@red.semi.ac.cn
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氮化铟纳米结构的生长与低维结构中集体激发的理论研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  康亭亭
Adobe PDF(4008Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：898/24  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡卫国;  魏鸿源;  焦春美;  康亭亭;  张日清;  刘祥林
Adobe PDF(644Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：909/278  |  提交时间：2010/11/23