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氮化镓基多波段探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  刘文宝;  孙 苋;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  杨 辉
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利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  刘文宝;  孙 苋;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  杨 辉
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In(Ga)N/GaN异质外延纳米结构的生长以及表征 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  孙苋
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu WB (Liu Wenbao);  Sun X (Sun Xian);  Zhang S (Zhang Shuang);  Chen J (Chen Jun);  Wang H (Wang Hui);  Wang XL (Wang Xiaolan);  Zhao DG (Zhao Degang);  Yang H (Yang Hui);  Liu, WB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wbliu@semi.ac.cn
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