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Si（111）衬底上GaN外延层的MOCVD生长与性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  伍墨
Adobe PDF(1414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：808/33  |  提交时间：2009/04/13