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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川
 Adobe PDF(1366Kb) |  收藏 | 浏览/下载：781/138 | 提交时间：2013/06/03 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei, Quanxiang; Wu, Bingpeng; Ren, Zhengwei; He, Zhenhong; Niu, Zhichuan
Adobe PDF(1366Kb) | 收藏 | 浏览/下载：672/163 | 提交时间：2013/05/07 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu, Yingqiang; Tang, Bao; Wang, Guowei; Ren, Zhengwei; Niu, Zhichuan; Xu, Y.(yingqxu@semi.ac.cn)
Adobe PDF(691Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1272/392 | 提交时间：2012/06/14 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 徐应强 ; 汤宝; 王国伟; 任正伟; 牛智川
Adobe PDF(607Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1500/314 | 提交时间：2012/07/17 |
| 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106773.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-07-14, 2011-08-30
发明人: 王国伟; 汤宝; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(560Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1451/189 | 提交时间：2011/08/30 |
| 带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
Adobe PDF(984Kb) | 收藏 | 浏览/下载：883/116 | 提交时间：2014/11/05 |
| InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
Adobe PDF(1368Kb) | 收藏 | 浏览/下载：873/76 | 提交时间：2014/11/24 |
| 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人: 张宇; 邢军亮; 徐应强; 任正伟; 牛智川
Adobe PDF(378Kb) | 收藏 | 浏览/下载：736/103 | 提交时间：2014/11/05 |
| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(1931Kb) | 收藏 | 浏览/下载：798/73 | 提交时间：2014/11/24 |
| InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 蒋洞微; 向伟; 王娟; 邢军亮; 王国伟; 徐应强; 任正伟; 贺振宏; 牛智川
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