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单光子探测装置的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘伟;  杨富华;  曾宇昕;  郑厚植
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内嵌InAs 量子点的调制掺杂场效应晶体管的光电特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  曾宇昕
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