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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yakun Wang; Jun Liu; Yanbin Huang; Zhan Wang ; Qicong Li; Shizhong Yue; Kong Liu; Shaolong Yan; Mingsheng Liu; Dawei Cao ; Yan Li, ; Zhijie Wang; Xinrong Yang ; Shengchun Qu Adobe PDF(1353Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:56/0  |  提交时间:2020/08/04 |
| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 李士颜 Adobe PDF(15932Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:686/63  |  提交时间:2016/06/02 高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Chao Fan; Yan Li; Fangyuan Lu; Hui-Xiong Deng; Zhongming Wei; Jingbo Li Adobe PDF(653Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:262/1  |  提交时间:2017/03/10 |
| 具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20 发明人: 谢小兵; 曾湘波; 杨萍; 李洁; 李敬彦; 张晓东; 王启明 Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:636/87  |  提交时间:2014/10/24 |
| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19 发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青 Adobe PDF(785Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:658/72  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:606/85  |  提交时间:2014/12/25 |
| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05 发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:619/93  |  提交时间:2014/11/17 |
| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26 发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:671/84  |  提交时间:2014/12/25 |
| 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(532Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:567/62  |  提交时间:2014/11/17 |
| 硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(611Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:530/58  |  提交时间:2014/12/25 |