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InGaN 太阳能电池理论模拟及制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  张小宾
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p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张小宾;  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  冉军学;  王翠梅;  李晋闽
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