SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共7条,第1-7条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910076560.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张长沙;  王占国;  石明吉;  彭文博;  刘石勇;  肖海波;  廖显伯;  孔光临;  曾湘波
Adobe PDF(408Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1449/248  |  提交时间:2011/08/31
硅基薄膜叠层太阳能电池隧道结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078560.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  石明吉;  曾湘波;  王占国;  刘石勇;  彭文博;  肖海波;  张长沙
Adobe PDF(598Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1764/262  |  提交时间:2011/08/31
生长InP基InAs量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人:  季海铭;  罗帅;  杨涛
Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:668/102  |  提交时间:2014/10/24
制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人:  罗帅;  季海铭;  杨涛
Adobe PDF(361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:670/79  |  提交时间:2014/10/28
锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  季海铭;  罗帅;  杨涛
Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:649/112  |  提交时间:2014/12/25
制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  杨涛;  高凤;  罗帅;  季海铭
Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:459/30  |  提交时间:2016/09/28
大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  罗帅;  季海铭;  杨涛
Adobe PDF(446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:475/6  |  提交时间:2016/09/28