已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 陈晓锋; 陈诺夫; 吴金良; 张秀兰; 柴春林; 俞育德 Adobe PDF(285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1314/221  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1030/184  |  提交时间:2012/09/09 |
| 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11 发明人: 冯玉霞; 杨少延; 魏鸿源; 焦春美; 孔苏苏 Adobe PDF(1519Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:580/69  |  提交时间:2014/11/24 |
| 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02 发明人: 康贺; 王晓亮; 肖红领; 王翠梅; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 崔磊 Adobe PDF(566Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:704/108  |  提交时间:2014/11/24 |
| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12 发明人: 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(1180Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:636/90  |  提交时间:2014/11/05 |
| 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22 发明人: 王翠梅; 王晓亮; 彭恩超; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:589/80  |  提交时间:2014/12/25 |
| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 肖红领; 彭恩超; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:651/98  |  提交时间:2014/10/31 |
| 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13 发明人: 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(535Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:697/94  |  提交时间:2014/10/24 |
| 源输送混合比可调气路装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25 发明人: 王晓亮; 肖红领; 陈竑; 殷海波; 冯春; 姜丽娟 Adobe PDF(670Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:596/92  |  提交时间:2014/11/24 |
| 密封传动装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07 发明人: 王晓亮; 崔磊; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(720Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:707/108  |  提交时间:2014/11/24 |