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GaSb原生受主缺陷对施掺杂激活及其器件应用的影响 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  余丁
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新结构 GaN 基 HEMT 材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  丁杰钦
Adobe PDF(4358Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1142/119  |  提交时间：2013/06/20