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| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1807/302  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种叠层有机电致发光器件 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091404.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李林森; 关敏; 曹国华; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(381Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1433/257  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用金属氧化物掺杂作为空穴注入结构的有机发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910077680.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李林森; 关敏; 曹国华; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1473/261  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1537/306  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 发明人: 梁萌; 杨华; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(484Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:522/75  |  提交时间:2014/11/05 |
| 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-02 发明人: 梁萌; 杨华; 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(631Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:519/77  |  提交时间:2014/10/31 |
| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(458Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:658/100  |  提交时间:2014/10/31 |
| 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(393Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:698/115  |  提交时间:2014/10/31 |
| 氮化物LED外延结构的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:643/114  |  提交时间:2014/10/31 |
| 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15 发明人: 李盼盼; 李鸿渐; 张逸韵; 李志聪; 梁萌; 李璟; 王国宏 Adobe PDF(565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:543/75  |  提交时间:2014/10/29 |