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基于激光器结构的InGaN材料发光特性和外延机理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  彭莉媛
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硅中离子注入硫属元素引入深能级的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  高利朋
Adobe PDF(10087Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1149/28  |  提交时间：2014/07/01