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一种适合于大批量生产的激光器COD消除方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑凯;  马骁宇;  林涛;  刘素平;  张广泽
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数字多功能光盘用大功率650nm半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑凯;  马骁宇;  林涛;  刘素平;  张广泽
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包含硅基稀土掺杂发光材料的电致发光器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  成步文;  余金中;  王启明
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包含硅基高效发光材料的电致发光器件及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  成步文;  余金中;  王启明
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Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Zhao M;  Zhang CL;  Xu B;  Yu LK;  Sun J;  Lei W;  Wang ZG;  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: czhao@semi.ac.cn
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Monte Carlo Simulation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Yang, H (Yang, Hui);  Liang, JW (Liang, J. W.);  Li, XY (Li, X. Y.);  Gong, HM (Gong, H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DY (Li Deyao);  Zhang SM (Zhang Shuming);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Chen J (Chen Jun);  Chen LH (Chen Lianghui);  Chong M (Chong Ming);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Zhao DG (Zhao Degang);  Liu ZS (Liu Zongshun);  Yang H (Yang Hui);  Liang JW (Liang Junwu);  Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP (Liu J. P.);  Shen GD (Shen G. D.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Yang H (Yang H.);  Liu, JP, Beijing Univ Technol, Beijing Optoelect Technol Lab, Pingleyuan 100, Beijing 100022, Chaoyang Dist, Peoples R China. E-mail: jianpingliu76@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H (Wang H.);  Huang Y (Huang Y.);  Sun Q (Sun Q.);  Chen J (Chen J.);  Wang LL (Wang L. L.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Wang YT (Wang Y. T.);  Yang H (Yang H.);  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou SQ (Zhou Shengqiang);  Wu MF (Wu M. F.);  Yao SD (Yao S. D.);  Zhang BS (Zhang B. S.);  Yang H (Yang H.);  Zhou, SQ, Forschungszentrum Rossendorf EV, POB 51 01 19, D-01314 Dresden, Germany. E-mail: zhousq2000@yahoo.com;  sdyao@pku.edu.cn
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