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硅基混合集成技术的研究进展 期刊论文
物理, 2011, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 28-32
Authors:  李显尧;  袁韬努;  邵士茜;  施祖军;  汪毅;  俞育德;  余金中
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缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响 期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 466-470
Authors:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  魏宏远;  康亭亭;  王晓晖;  刘祥林;  王占国
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弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 875
Authors:  李代宗;  黄昌俊;  于卓;  成步文;  余金中;  王启明
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Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 53
Authors:  于卓;  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明;  梁骏吾
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Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 962
Authors:  Yu Z(于卓);  Li DZ(李代宗);  Cheng BW(成步文);  Li C(李成);  Lei ZL(雷震霖);  Huang CJ(黄昌俊);  Zhang CH(张春辉);  Yu JZ(余金中);  Wang QM(王启明);  Liang JW(梁骏吾)
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用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 862
Authors:  于卓;  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明;  梁骏吾
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Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 760
Authors:  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  王红杰;  于卓;  张春晖;  余金中;  王启明
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组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1111
Authors:  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  王红杰;  于卓;  张春晖;  余金中;  王启明
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Comparison of GexSi1—x Grown by UHV/CVD from Si2H6/GeH4 and SiH4/GeH4 期刊论文
Semiconductor Photonics and Technology, 1999, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 134
Authors:  李代宗;  于卓;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明
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Photonic AND Gate Based on Hybrid Integration of GaAs VCSEL and GaAs MISS 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 717, 期号: 0
Authors:  Kang XJ(康学军);  Lin SM(林世鸣);  Liao QW(廖奇为);  Gao JH(高俊华);  Cheng P(程澎);  Liu SA(刘世安);  Wang QM(王启明);  Du GT(杜国同);  Liu Y(刘颖);  Li XM(李雪梅)
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