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全耗尽CMOS/SOI工艺 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 104-108
Authors:  刘新宇;  孙海峰;  刘洪民;  陈焕章;  扈焕章;  海潮和;  和致经;  吴德馨
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部分耗尽CMOS/SOI工艺 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 806
Authors:  刘新宇;  孙海峰;  陈焕章;  扈焕章;  海潮和;  刘忠立;  和致经;  吴德馨
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CMOS/SOI64Kb静态随机存储器 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 47
Authors:  刘新宇;  韩郑生;  周小茵;  海潮和;  刘忠立;  吴德馨
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氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 1596
Authors:  刘新宇;  刘运龙;  孙海锋;  海潮和;  吴德馨;  和致经;  刘忠立
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