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气源分子束外延生长SiGe/Si材料的性质及HBT器件应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000
作者:  林燕霞
Adobe PDF(846Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：816/8  |  提交时间：2009/04/13