中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张宝顺;  杨辉
Adobe PDF(479Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1056/166  |  提交时间：2009/06/11
氮化镓基发光二极管管芯的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张书明;  杨辉
Adobe PDF(293Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：831/131  |  提交时间：2009/06/11
小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨辉;  张书明
Adobe PDF(377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1075/177  |  提交时间：2009/06/11
氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨辉;  张书明
Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：741/133  |  提交时间：2009/06/11
氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯淦;  杨辉;  梁骏吾
Adobe PDF(645Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1015/157  |  提交时间：2009/06/11