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| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1596/234  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏 Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1712/266  |  提交时间:2011/08/31 |
| 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1448/236  |  提交时间:2011/08/31 |
| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1356/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| GaN基薄膜芯片的制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102496667A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 刘硕; 郭恩卿; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(757Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1089/190  |  提交时间:2012/09/09 |
| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰 Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1889/350  |  提交时间:2012/09/09 |