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| 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 汪洋 ; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩
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| 背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010175445.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 朱洪亮; 张兴旺; 朱小宁; 刘德伟; 马丽; 黄永光
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| 基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231175.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孔端花; 朱洪亮; 梁松
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| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵
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| 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113777.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 朱洪亮; 朱小宁; 刘德伟; 马丽; 赵玲娟
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| 双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010269026.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 梁松; 朱洪亮; 王圩
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| 分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010564545.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘扬; 赵玲娟; 朱洪亮; 潘教青; 王圩
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| 一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113745.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 朱洪亮; 朱小宁; 梁松; 张兴旺; 刘德伟; 王圩
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| 异质掩埋激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 陈娓兮; 梁松; 边静; 安心; 王伟
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| 采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078864.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 梁松; 朱洪亮; 林学春; 韩培德; 王宝华
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