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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu Y (Xu Ying); Diao HW (Diao Hong-Wei); Zhang SB (Zhang Shi-Bin); Li XD (Li Xu-Dong); Zeng XB (Zeng Xiang-Bo); Wang WJ (Wang Wen-Jing); Liao XB (Liao Xian-Bo); Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许颖; 刁宏伟; 张世斌; 励旭东; 曾湘波; 王文静; 廖显伯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 肖宛昂; 胡红武; 邹立东
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| 磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 董宏伟; 赵有文; 杨子祥; 焦景华
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| 非掺杂磷化铟（InP）的高温退火研究— 半绝缘材料的点缺陷、制备、性质、应用对比 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
作者: 董宏伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 董宏伟; 赵有文; 焦景华; 赵建群; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 董宏伟; 赵有文; 焦景华; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周宏伟; 董建荣; 王红梅; 曾一平; 朱占萍; 潘量; 孔梅影
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王红梅; 曾一平; 周宏伟; 董建荣; 潘栋; 潘量; 孔梅影
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郑怀德; 廖显伯; 孔光临; 刁宏伟; 万旭东; 夏传铖; 潘广勒; 肖君
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