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磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  董宏伟;  赵有文;  杨子祥;  焦景华
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非掺杂磷化铟（InP）的高温退火研究— 半绝缘材料的点缺陷、制备、性质、应用对比 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
作者:  董宏伟
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