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带位置稳定结构的针状神经微电极 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  裴为华;  陈弘达;  朱琳;  张旭;  郭凯;  王淑静;  陈海峰
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Monolithic Integration of Light Emitting Diodes, Photodetector and Receiver Circuit in Standard CMOS Technology 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Huang BJ;  Xu Zhang;  Zan Dong;  Wei Wang;  Chen HD;  Huang, BJ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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