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用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  尹志冈;  杨霏
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在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  陈晨龙
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红外线探测材料GaAs 基InAsSb 薄膜的生长和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  彭长涛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘超;  张雅丽;  徐桂芝;  张韬;  侯广辉;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张韬;  伞海生;  温继敏;  刘宇;  刘超;  陈伟;  谢亮;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  白一鸣;  陈诺夫;  戴瑞炬;  王鹏;  彭长涛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐桂芝;  Hofmann W;  黄亨沛;  张韬;  谢亮;  祝宁华;  Amann M C
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