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Optical properties of AIInGaN quaternary alloys 会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:  Huang JS;  Dong X;  Luo XD;  Liu XL;  Xu ZY;  Ge WK;  Huang JS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Light-emitting-diodes  Localized Excitons  Luminescence  Relaxation  Silicon  Band  
Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:  Deng X;  Wang W;  Han S;  Povolny H;  Du W;  Liao X;  Xiang X;  Liao X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1430/437  |  提交时间：2010/11/15